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I D25
PolarHT TM HiPerFET IXFN 140N20P
Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode
Fast Intrinsic Diode
V DSS = 200 V
= 115 A
R DS(on) ≤ 18 m Ω
t rr ≤ 150 ns
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V DSS
V DGR
V GS
T J = 25 ° C to 175 ° C
T J = 25 ° C to 175 ° C; R GS = 1 M Ω
Continuous
200
200
± 20
V
V
V
miniBLOC, SOT-227 B (IXFN)
E153432
V GSM
I D25
I D(RMS)
Transient
T C = 25 ° C
External lead current limit
± 30
115
100
V
A
A
G
S
I DM
I AR
E AR
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
280
60
100
A
A
mJ
D
S
E AS
T C = 25 ° C
4
J
G = Gate
S = Source
D = Drain
dv/dt
P D
T J
T JM
T stg
T L
V ISOL
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS ,
T J ≤ 150 ° C, R G = 4 Ω
T C = 25 ° C
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
50/60 Hz, RMS, 1 minute
10
680
-55 ... +175
175
-55 ... +150
300
2500
V/ns
W
° C
° C
° C
° C
V~
Either source tab S can be used forsource
current or Kelvin gate return.
Features
International standard package
Unclamped Inductive Switching (UIS)
M d
Terminal torque
Mounting torque
1.13/10 Nm/lb.in.
1.13/10 Nm/lb.in.
rated
Low package inductance
- easy to drive and to protect
Weight
30
g
Fast intrinsic diode
Symbol Test Conditions
Characteristic Values
Advantages
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
BV DSS V GS = 0 V, I D = 250 μ A
Min. Typ. Max.
200
V
Easy to mount
Space savings
V GS(th)
I GSS
I DSS
V DS = V GS , I D = 4 mA
V GS = ± 20 V DC , V DS = 0
V DS = V DSS
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
2.5
5.0
± 100
25
250
V
nA
μ A
μ A
High power density
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = 70 A
V GS = 15 V, I D = 140A
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
14
18
m Ω
m Ω
? 2006 IXYS All rights reserved
DS99245E(03/06)
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